MEMS技術(shù)類似于半導(dǎo)體技術(shù)，但是它用于傳感器和微型機械組件，而不是電子芯片。MEMS技術(shù)的眾所周知的應(yīng)用是安全氣囊傳感器，噴墨頭，壓力傳感器，麥克風(fēng)，指南針，加速度計，陀螺儀和時基振蕩器。例如，智能手機包含許多MEMS組件，并且熱流量傳感器已廣泛用于空調(diào)系統(tǒng)中。

　　MEMS芯片由晶圓制成。晶圓是由硅或玻璃制成的極其扁平的圓盤。典型的晶片的厚度為0.5毫米，直徑為6英寸。MEMS技術(shù)就是在某些區(qū)域添加層并刪除這些層。所施加的層可以是非常高質(zhì)量和堅固的材料。氮化硅就是這種材料的一個例子，它是通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）施加的，并且在800C左右的溫度下進行。

　　光刻用于定義需要去除的區(qū)域。在光刻中，光致抗蝕劑層沉積在晶片的表面上。光致抗蝕劑通過在其表面上照射光而發(fā)生化學(xué)變化，并在顯影液中有選擇地除去。

　　科里奧利傳感器的優(yōu)點

　　大多數(shù)MEMS流量傳感器都基于熱測量原理。已經(jīng)證明，這種傳感器能夠以每分鐘幾納升的速度測量液體流量。這些傳感器的優(yōu)點是它們快速且非常穩(wěn)定。缺點是需要針對每種特定的流體進行校準(zhǔn)。

　　科里奧利類型的流量傳感器，即包含振動管的流量傳感器不存在這個問題，在該振動管中，質(zhì)量流受到科里奧利力的作用。由于科里奧利流量傳感器測量的是真實質(zhì)量流量，因此科里奧利力與質(zhì)量流量成正比，并且不受溫度，壓力，流量分布和流體特性的影響。

　　科里奧利流量計主要用于測量大流量（每小時大于1千克），因為相對較弱的科里奧利力相應(yīng)地更難檢測小流量。為了獲得足夠的靈敏度來測量每小時2克以下的超低流量，需要將傳感器尺寸和管壁厚度最小化到極限，這是常規(guī)的不銹鋼加工所無法實現(xiàn)的。

　　MEMS技術(shù)在這里發(fā)揮了作用。我們與特溫特大學(xué)密切合作開發(fā)的一種稱為表面通道技術(shù)的工藝可以制造具有1微米薄的氮化硅壁的管。材料的選擇使這些管即使在極薄的壁厚下也具有機械穩(wěn)定性。

　　MEMS科里奧利傳感器的工作原理

　　在下圖中，說明了基于MEMS的科里奧利傳感器的工作原理。演示模型中內(nèi)置的傳感器基于此技術(shù)。該演示模型可以測量和控制每小時0.01克至2克的氣體和液體流量。作為MEMS技術(shù)的另一個優(yōu)勢，儀器內(nèi)部的科里奧利管的尺寸非常小，以至于管的共振頻率在kHz范圍內(nèi)。與傳統(tǒng)的不銹鋼科里奧利儀器相比，這降低了對外部振動的敏感性。

　　科里奧利流量傳感器管。洛倫茲（Lorentz）致動使電子管產(chǎn)生共振?？评飱W利力Fc是通過管的質(zhì)量流量Φm的結(jié)果